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Der "anisotrope magnetoresistive Effekt" (AMR) tritt
in ferromagnetischen Materialien auf, deren spezifischer Widerstand parallel zur Magnetisierung einige Prozent größer als senkrecht dazu ist.
Die Entdeckung des anisotropen magnetoresistiven Effektes (1857 durch
Thomson) konnte erst über 100 Jahre später in die erste technische
Anwendungen einfließen. Dabei handelte es sich um die Leseeinheit in
Bubblespeichern Ende der 1960er Jahre. Um 1980 wurde mit der Entwicklung
der ersten AMR-Sensoren begonnen. In dünnen Schichten aus weichen
ferromagnetischen Materialien ist die Magnetisierung leicht drehbar, so
dass mit Hilfe des AMR Sensoren realisiert werden können. |
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In nebenstehender Abbildung ist der typische Verlauf
des Widerstands als Funktion eines parallel und senkrecht zur
Stromrichtung angelegten Magnetfeldes für ein ferromagnetisches Metall
gezeigt. Wird das Magnetfeld von Null erhöht, so resultiert bei
niedrigen Magnetfeldern der beobachtete Magnetwiderstand zunächst aus
der Wider- standsanisotropie des Ferromagneten. Der AMR folgt zunächst der zunehmenden Orientierung der
Magnetisierung aufgrund der Ausrichtung von Domänen und sättigt, sobald
die Magnetisierung parallel zur Richtung des äußeren Feldes ausgerichtet
ist, für Felder oberhalb des Sättigungswertes beobachtet man den
normalen, positiven Magnetwiderstand. |
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