Elektronenstrahllithographie ist eine spezielle Technik, um extrem kleine Strukturen (im nm-Bereich) zu erzeugen. Dabei scannt ein fokussierter Elektronenstrahl die Oberfläche des zu strukturierenden Substrats ab, wobei das Substrat mit einem Resist (hier PMMA) bedeckt ist, der empfindlich gegenüber den Elektronen ist. Der meist aus einem organischen Material bestehende Photolack wird bei dieser Belichtung chemisch verändert, und so können in einem nachfolgenden Entwicklungsprozess entweder die belichteten Strukturen (Positivlack) oder die unbelichteten Strukturen (Negativlack) entfernt werden. Bei der Belichtung des Photolackes kommt es zu Streuprozesse der Elektronen in dem Photolack und dem darunterliegenden Substrat. Dabei können Elektronen zurückgestreut werden und den Lack an ungewünschten Stellen belichten (Proximity-Effekt). In diesem Versuch werden Sie den Umgang mit einem Rasterelektronenmikroskop erlernen, die Auswirkungen der Rückstreuung kennenlernen und die den Proximity-Effekt charakterisierenden Konstanten bestimmen.