Arbeitsgruppe Prof. Dr. Uwe Hartmann

Nanostrukturforschung und Nanotechnologie

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Universität des Saarlandes
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Anisotrope Magneto-Resistive Sensoren

Ersatzschaltbild

Falls die Spin-Bahn-Wechselwirkung inaktiv ist, gibt es keine s-d-Streuung im Majoritätsspinkanal. Der Gesamtwiderstand ergibt sich gemäß dem Ersatzschaltbild zu:

Ersatzschaltbild für den Fall ohne s-d-Streuung

Ersatzschaltbild mit s-d-Streuung

Ein Einschalten der Spin-Bahn-Wechselwirkung führt dann zu einer Erhöhung des Widerstandes:

Die s-d-Streuung ist aber nur möglich, wenn der Impuls k der s-Elektronen in der Ebene der Orbitale der d-Zustände liegt. Dies ist aber nur der Fall, wenn die Stromrichtung parallel zur Magnetisierung ist; hier kommt es zu einer starken s-d-Streuung und somit zu einem hohen Widerstand. Für J senkrecht zu M ist dies nicht mehr der Fall; der Widerstand ist kleiner. Hierin liegt die Ursache für den AMR-Effekt.

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28.02.2006