Tunneleffekt

Für eine weitere Betrachtung des Phänomens führt man folgenden Widerstandstensor ein, wobei angenommen wurde, dass die Probe in z-Richtung magnetisiert wurde:

Für beliebige Magnetisierungsrichtungen ist der Winkel zwischen der Stromrichtung J und der Magnetisierung M entscheidend. Mit Hilfe des obigen Widerstandstensor erhält man für den spezifischen Widerstand in Stromrichtung in Abhängigkeit des Winkels:

In einer massiven Probe ist im Nullfeld die Magnetisierung der Domänen zufällig verteilt. Der Mittelwert für die Winkelabhängigkeit ist dann 1/3 und der Nullfeldwiderstand ist der erste Summand in der letzten Gleichung. Man definiert den AMR folglich als die Differenz des Sättigungswerts des Widerstands bei hohen Feldern und des Widerstands bei Nullfeld.