Arbeitsgruppe Prof. Dr. Uwe Hartmann

Nanostrukturforschung und Nanotechnologie

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Institut für Experimentalphysik
Universität des Saarlandes
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D-66041 Saarbrücken
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Forschung

Grundlagen

Rasterelektronenmikroskopie

Sekundärelektronen

Zur Entstehung von Sekundärelektronen

Trifft der Elektronenstrahl auf das Objekt sind verschiedene Interaktionen möglich, deren Detektion Informationen über die Beschaffenheit des Objekts geben können. Die Intensität des detektierten Signals an dem Punkt, auf den der Elektronenstrahl fokussiert ist, wird als Grauwert in dem entsprechenden Pixel auf dem Bildschirm dargestellt. Die am meisten genutze Informationsquelle sind von Primärelektronen angeregte Elektronen aus dem Objekt, die dieses verlassen. Diese so genannten Sekundärelektronen (SE) haben eine Energie von einigen eV und werden von einem Everhart-Thornley-Detektor detektiert. Das Volumen, in dem SE generiert werden, ist vergleichsweise klein, daher erlauben SE-Bilder eine sehr hohe Auflösung (wenige nm).

Rückgestreute Elektronen

Ein weiteres häufig genutzes Verfahren ist die Detektion von zurückgestreuten Elektronen (engl. Backscattered Electrons (BSE)). Diese vom Objekt reflektierten Primärelektronen haben eine Energie von einigen keV. Das Volumen, in dem es zu derartigen Interaktionen kommt, hängt stark von der Beschleunigungspannung und vom Objektmaterial ab, bei 20 kV liegt es bei etwa 1 μm, daher haben BSE-Bilder eine schlechtere Auflösung. In BSE-Bildern hängt die Intensität von der Ordnungszahl des Materials ab. Schwere Elemente sorgen für eine starke Rückstreuung, so dass entsprechende Bereiche hell erscheinen, dies ermöglicht Rückschlüsse auf die chemische Natur des Objektmaterials.

REM - Aufnahmen einer Fliege (Vergrößerungen: 100 - 300.000-fach)

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28.02.2006