Rasterelektronenmikroskop Hitachi S-4500

Das Rasterelektronenmikroskop S-4500 verfügt über eine kalte Feldemissionskathode mit Extraktionsspannungen bis 6.5 kV und Beschleuni- gungsspannungen bis hin zu 30 kV. Bei einer maximalen Vergrößerung von 500.000-fach erlaubt es Abbildungen mit einer Auflösung von 1.5 nm. Das im  Elektronenmikroskop herrschende Vakuum liegt in der Probenkammer bei etwa 1.0*10^-7 mbar, der Druck im Bereich der Elektronenstrahlerzeugung liegt bei etwa 1.0*10^-9 mbar. Die maximale Größe der zu untersuchenden Proben kann bis zu 50 mm im Durchmesser betragen. Der steuerbare Probentisch gestattet dabei eine Bewegung der Proben von 25 mm in x- und y-Richtung und 28 mm in z-Richtung. Des weiteren kann der Probenteller um 360° gedreht und um 45° um eine Achse geneigt werden.

Hauptsächlich eingesetzt wird dieses Elektronenmikroskop zur Elektronenstrahllithographie (strukturierte Proben für MFM oder SNOM). Im Rahmen des Fortgeschrittenenpraktikums können sich auch schon Studenten mit dieser speziellen Technik zur Herstellung kleinster Strukturen vertraut machen. Neben der Lithographie wird das Elektronenmikroskop auch zur Untersuchung von Oberflächeneigenschaften bestimmter Proben verwendet.